单结晶体管有一个pn结和三个电极，即一个发射极和二个基极，所以又叫双基极二极管。
   单结晶体管有一个重要的电气特性——负阻特性，利用这种特性可以组成张弛振荡器、自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时器等多种脉冲单元电路。
   单结晶体管的内部结构：在一块高阻率的n型硅片两端，制作两个接触电极，分别叫第一基极b1和第二基极b2，硅片的另一侧在靠近第二基极b2处制作了一个pn结，并在p型硅片上引出电极e，e叫发射极。
   第一基极b1和第二基极b2之间的纯电阻，称为基区电阻，一般在2 kω~ 10 kω之间。第一基极b1与发射极e之间的电阻，在正常工作时，将随发射极电流而变化。pn结的作用相当于一个二极管。
   在阻值比较中，e-b1的阻值较大，e-b2的阻值较小；即e-b1的阻值 大于 e-b2的阻值。
   用万用表测单结晶体管的阻值，第一基极b1和第二基极b2之间的正反电阻均一样，为正常，否则该单结晶体管性能不好。