三极管的主要参数a. 共射电流放大系数和β

在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，的集电极电流IC和基极电流IB的比
,称为共射直流电流放大系数。

当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，即
上述两个电流放大系数和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。

制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值为20～100。β过小，管子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，选用β在40～80的管子较为合适。

三极管的主要参数b. 极间反向饱和电流ICBO和ICEO

（1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常可忽略。

（2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。

三极管的主要参数c. 集电极最大允许电流ICM

晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不变，但当IC的数值大到时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。使三极管在放大电路中能正常工作，IC不应超过ICM。

三极管的主要参数d. 集电极最大允许功耗PCM

晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率集电极的功耗PCM，即

PCM=ICUCE

功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图5-8。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。

手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。

三极管的主要参数e.反向击穿电压UBR（CEO）

反向击穿电压UBR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极的最大允许电压。使用中管子两端的电压UCE＞UBR（CEO），集电极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有会，当管子截止时，UCE＞UBR（CEO）三极管击穿而损坏的现象。下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。

三极管的主要参数f. 特征频率fT:当f= fT时,三极管失去电流放大功能.工作频率大于fT,电路将不正常工作.

三极管的主要参数g. 工作电压/电流:用参数指定该管的电压电流使用范围.

三极管的主要参数h 封装形式：指定该管的外观形状,参数都正确，封装不同将组件不好安装.