NPN三极管的共射特性曲线为例：
1.三极管的特性_输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE的函数关系，即

三极管的输入特性曲线如图5-6。由图5-6可见NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是：

（1）在输入特性曲线上也有一个开启电压，在开启电压内，uBE虽己大于零，但iB几乎仍为零，只有当uBE的值大于开启电压后，iB的值与二极管一样随uBE的按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V，发射结导通电压Von约为0.6～0.7V；锗晶体管的开启电压约为0.2V，发射结导通电压约为0.2～0.3V。

（2）三条曲线分别为UCE=0V，UCE=0.5V和UCE=1V的。当UCE=0V时，相当于集电极和发射极短路，即集电结和发射结并联，输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。当UCE=1V，集电结已处在反向偏置，管子工作在放大区，集电极收集基区扩散过来的电子，使在uBE值的下，流向基极的电流iB减小，输入特性随着UCE的增大而右移。当UCE>1V，输入特性几乎与UCE=1V时的特性曲线重合，这是Vcc＞lV后，集电极已将发射区发射过来的电子几乎收集走，对基区电子与空穴的复合影响不大，iB的改变也不明显。

因晶体管工作在放大时，集电结要反偏，UCE大于l伏，，只要给出UCE=1V时的输入特性就了。

2.三极管的特性_输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下，集电极电流iC和管压降uCE的函数关系，即

三极管的输出特性曲线如图5-7。由图5-7可见，当IB改变时，iC和uCE的关系是一组平行的曲线族，并有截止、放大、饱和三个工作区。

（1）截止区

IB=0持性曲线以下的称为截止区。晶体管的集电结处于反偏，发射结电压uBE＜0，也是处于反偏的。iB＝0，在反向饱和电流可忽略的前提下，iC=βiB也等于0，晶体管无电流的放大作用。处在截止下的三极管，发射极和集电结都是反偏，在电路中犹如一个断开的开关。

的是：处在截止下的三极管集电极有很小的电流ICE0，该电流称为三极管的穿透电流，它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流，不受iB的控制，但受温度的影响。

（2）饱和区

在图5-4的三极管放大电路中，集电极接有电阻RC，电源电压VCC，当集电极电流iC增大时，uCE=VCC-iCRC将下降，硅管，当uCE 降低到小于0.7V时，集电结也进入正向偏置的，集电极吸引电子的能力将下降，iB再增大，iC几乎就不再增大了，三极管失去了电流放大作用，处于这种下工作的三极管称为饱和。

规定UCE＝UBE时的为临界饱和态，图5-7中的虚线为临界饱和线，在临界饱和态下工作的三极管集电极电流和基极电流的关系为：

式中的ICS，IBS，UCES分别为三极管处在临界饱和态下的集电极电流、基极电流和管子两端的电压（饱和管压降）。当管子两端的电压UCE＜UCES时，三极管将进入深度饱和的，在深度饱和的下，iC=βiB的关系不成立，三极管的发射结和集电结都处于正向偏置会导电的下，在电路中犹如一个闭合的开关。

三极管截止和饱和的与开关断、通的特性很相似，数字电路中的各种开关电路三极管的这种特性来制作的。

（3）放大区

三极管输出特性曲线饱和区和截止区的部分放大区。工作在放大区的三极管才具有电流的放大作用。三极管的发射结处在正偏，集电结处在反偏。由放大区的特性曲线可见，特性曲线非常平坦，当iB等量变化时，iC几乎也按比例等距离平行变化。iC只受iB控制，几乎与uCE的大小无关，说明处在放大下的三极管相当于一个输出电流受IB控制的受控电流源。

上述讨论的是NPN型三极管的特性曲线，PNP型三极管特性曲线是一组与NPN型三极管特性曲线关于原点对称的图像。