本例介绍的逆变电源，能将12v的直流电源变换成220v的交流电源，可带100w以下的负载．　　　　　　　　　　　      电路工作原理
　　该逆变电源电路由低频振荡器、稳压滤波电路、缓冲驱动电路和功率输出电路组成，如图5-147所示。

　　低频振荡器电路由非门集成电路ic1内部的非门电路d1、d2和电阻器r1、r2、电位器rp、电容器c1组成。
　　稳压滤波电路由三端稳压集成电路ic2和电容器c2~c4组成。
　　缓冲驱动电路由ic1内部的非门电路d3、d4和晶体管v1、v2、电阻器r3~r6组成。
　　功率输出电路由大功率场效应晶体管vf1~vf4和升压变压器t组成。
　　接通电源开关s后，+12v电压经c4滤波后，一路直接为v1、v2和vf1~vf4提供工作电压;另一路经ic2稳压为+5v，作为ic1的工作电压。
　　低频振荡器通电工作后，产生5ohz的低频振荡信号。该信号先经d2和d3反相缓冲处理、v1和v2驱动放大及vf1~vf4功率放大后，在升压变压器t的二次侧产生交流220v电压。                                                             　　　　      在一个信号周期内，v1和v2交替导通工作。当低频振荡信号为正脉冲时，v2和vf2、vf3导通工作;当低频振荡信号为负脉冲时，v1和vf1、vf4导通工作。
　　元器件选择
　　c1选用耐压值为1ov的优质铝电解电容器或钽电解电容器;c2和c3选用独石电容器或涤纶电容器;c4选用耐压值为16v的铝电解电容器。
　　v1和v2选用s8050或2sc1815型硅npn晶体管。
　　vf1和vl3均选用2sj471型p沟道mos场效应晶体管;vf2和vf4均选用2sk2956型n沟道mos场效应晶体管。
　　ic1选用lm7805或78l05型三端稳压集成电路;ic2选用cd4069或co33型六非门集成电路。
　　t选用120~150w、二次电压为12v的电源变压器。